12 月 24 日消息，媒体 CNBC 于 12 月 21 日发布博文，参观了英特尔在美国的 Fab 52 工厂，指出在与台积电争夺全球先进制程主导权的竞赛中，英特尔在美国本土市场取得显著优势。
据 CNBC 报道及行业分析，英特尔位于亚利桑那州钱德勒的 Fab 52 工厂，无论是在占地规模还是设备先进程度上，均超越了台积电在该州的 Fab 21 一期及建设中的二期设施。
Fab 52 目前已部署了四台 ASML Twinscan NXE 系列 Low-NA EUV（低数值孔径极紫外）光刻机。值得注意的是，其中包括至少一台 NXE:3800E 系统，这是 ASML 目前最高端的 Low-NA 机型。
该设备引入了下一代 High-NA 光刻机的晶圆处理程序和光源技术，在 30 mJ / cm² 剂量下，每小时晶圆处理量（wph）高达 220 片。此外，工厂还配备了三台 NXE:3600D 系统（处理速度 160 wph）。
英特尔在 Ocotillo 园区规划了至少 15 台 EUV 光刻机的安装空间，为未来引入更先进的 High-NA 设备预留了充足余地。
在产能与技术节点的对比中，英特尔 Fab 52 优势明显。台积电 Fab 21 一期主要生产 N4 和 N5 工艺芯片，单模块月产能约为 20000 片晶圆（WSPM）。
相比之下，英特尔 Fab 52 专注于更先进的 18A（1.8nm 及以下）制程，其月产能是台积电的 2 倍，预计超过 40000 片。即便台积电具备 N3 能力的二期工厂完工，英特尔在制程代际和总吞吐量上仍将保持领先或持平。
考虑到 18A 工艺的复杂性远超 N4，英特尔在实现这一产能规模背后，实际上承担了更高的技术难度与制造工作量。
不过报告指出，尽管硬件参数亮眼，但英特尔在生产节奏上面临挑战。Fab 52 目前正处于 Panther Lake 处理器的早期生产阶段，使用的是尚未完全成熟的 18A 技术。英特尔预计，18A 的良率要到 2027 年初才能达到世界级水平。
在此之前，为了控制成本和风险，工厂不会强行拉满产量，这意味着部分昂贵的产能将暂时闲置。相反，台积电在美国采用的是已在验证过的成熟工艺，能够迅速实现近 100% 的产能利用率。这场“先进性”与“成熟度”的博弈，将是未来三年美系芯片制造的关键看点。
